ကျွန်ုပ်တို့၏ဝက်ဘ်ဆိုက်များမှကြိုဆိုပါသည်။
section02_bg(1)
head(1)

LEEM-8 Magnetoresistive အကျိုးသက်ရောက်မှုစမ်းသပ်စက်ပစ္စည်း

ဖော်ပြချက်အတို:


ကုန်ပစ္စည်းအသေးစိတ်

ကုန်ပစ္စည်းအမှတ်အသားများ

မှတ်ချက်: oscilloscope မပါဝင်ပါ

ပစ္စည်းသည်ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံရိုးရှင်းပြီးအရာများစွာပါဝင်သည်။ ၎င်းတွင်အာရုံခံကိရိယာနှစ်မျိုးအသုံးပြုသည်။ GaAs Hall အာရုံခံသည်သံလိုက်သော induction ပြင်းထန်မှုကိုတိုင်းတာရန်နှင့်ကွဲပြားခြားနားသောသံလိုက် induction ပြင်းထန်မှုအောက်တွင် InSb magnetoresistance sensor ၏ခုခံမှုကိုလေ့လာရန်ဖြစ်သည်။ သုတေသနနှင့်ဒီဇိုင်းစမ်းသပ်မှုများဖြင့်သွင်ပြင်လက္ခဏာရှိသော semiconductor ၏ Hall effect နှင့် magnetoresistance အကျိုးသက်ရောက်မှုကိုကျောင်းသားများတွေ့မြင်နိုင်သည်။

စမ်းသပ်မှု

1. အသုံးချသံလိုက်စက်ကွင်းပြင်းထန်မှု vs InSb အာရုံခံကိရိယာ၏ခုခံပြောင်းလဲမှုကိုလေ့လာ; အဆိုပါပင်ကိုယ်မူလပုံသေနည်းကိုရှာပါ။

သံလိုက်စက်ကွင်းပြင်းထန်မှု vs 2. ကြံစည်မှု InSb အာရုံခံခုခံခုခံ။

3. အားနည်းသောသံလိုက်စက်ကွင်း (ကြိမ်နှုန်း - နှစ်ဆအကျိုးသက်ရောက်မှု) အောက်ရှိ InSb အာရုံခံကိရိယာ၏ AC ဝိသေသလက္ခဏာများကိုလေ့လာပါ။

 

အသေးစိတ်ဖော်ပြချက်များ

ဖော်ပြချက် အသေးစိတ်ဖော်ပြချက်များ
magneto- ခုခံအာရုံခံကိရိယာ၏ပါဝါထောက်ပံ့ရေး ချိန်ညှိ 0-3 Ma
ဒစ်ဂျစ်တယ် voltmeter 0-1.999 V ကို resolution ကို 1 mV အကွာအဝေး
ဒစ်ဂျစ်တယ် milli-Teslameter 0-199.9 mT, resolution 0.1 mT အကွာအဝေး

  • ရှေ့သို့
  • နောက်တစ်ခု:

  • မင်းရဲ့မက်ဆေ့ခ်ျကိုဒီမှာရေးပြီးငါတို့ဆီပို့ပါ